[发明专利]一种铜锌锡硫化合物薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201210079048.7 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102610673A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 何俊;孙琳;杨平雄;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜电池包括玻璃衬底、金属背电极层、P型吸收层、n型硫化镉缓冲层、透明氧化物薄膜窗口层及TCO顶电极；所述P型的铜锌锡硫吸收层的制备方法是：使用单靶脉冲激光沉积技术，采用一步法工艺合成，无后续的热处理过程。本发明的太阳能电池具有所含元素矿源丰富且无毒，对环境友好，光电转换率高，稳定性好，结构简单，制备工艺简单，成本低廉的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡 硫化 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫化合物薄膜太阳能电池，包括：由下而上依次设置的玻璃衬底、金属背电极层、P型吸收层、n型硫化镉缓冲层、透明氧化物薄膜窗口层及TCO顶电极，其特征在于：所述p型吸收层为脉冲激光沉积的铜锌锡硫四元化合物薄膜，其薄膜厚度为1000～2000纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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