[发明专利]GaAs半导体材料刻蚀液的配方无效
| 申请号： | 201210079731.0 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102627972A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李炎勇;王开友 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方，包括：柠檬酸、过氧化氢和去离子水；其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合，再加入过氧化氢搅拌均匀。其中该刻蚀液是先将1g的柠檬酸晶体兑入1ml的去离子水中，搅拌均匀，再加入浓度为30％的过氧化氢，柠檬酸晶体与去离子水之和与过氧化氢的体积比为66∶1。使用的本发明柠檬酸配方中，对GaAs材料的刻蚀速率控制在2.0nm/s-2.8nm/s。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 半导体材料 刻蚀 配方 | ||
【主权项】：
一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方，包括：柠檬酸、过氧化氢和去离子水；其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合，再加入过氧化氢搅拌均匀。
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