[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210080160.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102694011A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 野田隆夫;尾原亮一;佐野贤也;杉山亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L29/872 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体层；第二导电类型的第一区，其被选择性地设置在所述半导体层的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性地设置在所述第一主表面中并且与所述第一区连接；第一电极，其被设置为与所述半导体层和所述第一区相接触；第二电极，其被设置为与所述第二区相接触；以及第三电极，其与所述半导体层的与所述第一主表面相对的第二主表面电气连接。
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