[发明专利]光电转换装置

摘要

本发明的目的之一是提供一种开路电压高且转换效率高的光电转换装置。在一对电极之间层叠具有p型导电型的第一半导体层、具有p型导电型的第二半导体层以及具有n型导电型的第三半导体层，来形成具有pn结的光电转换装置。第一半导体层为化合物半导体层，第二半导体层使用有机化合物及无机化合物形成，作为该有机化合物使用空穴传输性高的材料，并且作为该无机化合物使用具有电子接受性的过渡金属氧化物。

主权项

一种光电转换装置，包括：一对电极；具有p型导电型的第一半导体层；具有p型导电型且与所述第一半导体层接触的第二半导体层；具有n型导电型且与所述第二半导体层接触的第三半导体层；以及与所述第三半导体层接触的透光导电膜，其中所述第一半导体层含有以Cu(In1‑xGax)Se2表示的化合物半导体，其中x为0以上1以下的数值，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层以及所述透光导电膜设置在所述一对电极之间，其中在所述透光导电膜与至少一个所述电极之间设置抗反射膜，其中所述第二半导体层含有合成材料，所述合成材料含有有机化合物及无机化合物，其中所述有机化合物的空穴传输性高于所述有机化合物的电子传输性，并且所述无机化合物包含属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。