[发明专利]双芯片在TO-220封装中引线框架的结构无效
申请号: | 201210080586.8 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN102593093A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 谭天文;姜涛 | 申请(专利权)人: | 南京通华芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210042 江苏省南京市玄武区玄武*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种双芯片在TO-220封装中引线框架的结构,引线框架的结构特征是:由散热片、大基岛、小基岛及引脚组成,散热片中包含大基岛,引脚中包含小基岛。大基岛中放置高压大功率(晶体三极管、IGBT管或MOS管),小基岛中放置电源驱动芯片。 | ||
搜索关键词: | 芯片 to 220 封装 引线 框架 结构 | ||
【主权项】:
双芯片在TO‑220封装中引线框架的结构,引线框架的结构特征是:由散热片、大基岛、小基岛及引脚组成,散热片中包含大基岛,引脚中包含小基岛。
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