[发明专利]一种高纯Ru溅射靶及制备方法无效
| 申请号： | 201210080721.9 | 申请日： | 2012-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102605332A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 谭志龙;管伟明;张昆华;杨杰;毕珺;王传军;陈松;张俊敏;李艳琼 | 申请（专利权）人： | 昆明贵金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;B22F3/14 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650106 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯Ru溅射靶及其制备方法，所述钌溅射靶的致密度在99％以上，平均晶粒尺寸为2～10μm。具体制备方法包括如下步骤：(1)粉末预处理；(2)粉末装填；(3)粉末烧结：将装有高纯钌粉的模具送入真空热压烧结炉中进行双向真空热压烧结，真空度为10-2～10-4Pa，烧结温度为1100～1800℃，烧结压力为30～60MPa。本发明通过双向真空热压烧结的工艺，制备出了致密度在99％以上，平均晶粒为2～10μm的钌溅射靶，边缘与心部组织结构均匀，使用该靶材进行磁控溅射，减少了溅射过程的异常放电现象，提高了溅射速率和膜厚分布的均匀性；同时，使用双向压制的方法可以实现一炉多块同时压制，而且压制出靶材的组织均匀性等相关性能与热等静压的性能相当，提高了生产效率，节约了生产成本，降低了能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 ru 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯钌溅射靶，其特征在于：所述钌溅射靶的致密度在99％以上，平均晶粒尺寸为2～10μm。
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