[发明专利]一种高导热石墨晶须/铜复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210080907.4 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102586704A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 何新波;刘骞;张昊明;任淑彬;吴茂;曲选辉 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C22C47/04 分类号: C22C47/04;C22C47/14;C22C49/00;C22C101/10;C22C121/02
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于金属基复合材料研究领域,涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成,其中纯铜的体积分数为40%-70%,镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为:首先采用化学镀或盐浴镀方法,将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面,形成1-2μm厚的镀层;然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀,再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法,其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。
搜索关键词: 一种 导热 石墨 复合材料 制备 方法
【主权项】:
一种高导热石墨晶须/铜复合材料的制备方法,其特征是使用高导热石墨晶须作增强相,先在石墨晶须表面用化学镀或盐浴镀的方法镀覆一层铜或钼,然后通过SPS粉末冶金工艺与铜粉进行复合,制备出高性能石墨晶须增强铜基复合材料;所用的增强相是高导热,低膨胀的石墨晶须,长径比在10‑70之间,晶须表面镀覆厚度0.1‑2μm的铜或钼;所选的已镀覆石墨晶须与铜粉的体积比为30‑60:70‑40,复合前要在球磨机上混合,球磨机转速为110‑150转/分钟,时间为1.5‑3小时。
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