[发明专利]含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法无效
| 申请号： | 201210081514.5 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102610562A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张景春;顾梅梅;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，首先是一种含碳薄膜中碳元素的去除方法，采用O3等离子体灰化该含碳薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。本发明还提出一种SiOC控挡片的再生方法，所述方法包括：首先，采用O3等离子体灰化SiOC薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离，SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜；然后，采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜。本发明通过采用氧化能力更强的O3等离子体取代传统工艺中的O2等离子体进行碳元素的去除或者灰化工艺，相比O2能够提高效率、降低能耗、节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 元素 去除 方法 以及 sioc 控挡片 再生 | ||
【主权项】：
一种含碳薄膜中碳元素的去除方法，其特征在于：采用O3等离子体灰化该含碳薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210081514.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有改进闪光效应的颜料
- 下一篇：滑动面材料及具有该滑动面材料的多层滑动部件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
