[发明专利]一种用于沉积厚铝铜薄膜层的方法有效
| 申请号： | 201210081755.X | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103361621A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/16;H01L21/02;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于沉积厚度大于等于10KA的厚铝铜薄膜层的方法，包含：步骤1、在第一反应腔中，在晶圆表面沉积形成一层铝铜薄膜；步骤2、将已沉积铝铜薄膜的晶圆传送至第二反应腔进行冷却；该第二反应腔内的温度低于第一反应腔内的温度；步骤3、将冷却后的晶圆传送至第一反应腔中，并循环执行步骤1的沉积过程和步骤2的冷却过程，依次在晶圆上沉积多层铝铜薄膜，并在每次完成一层铝铜薄膜的沉积步骤后，将晶圆传送至第二反应腔内进行冷却，直至所沉积的铝铜薄膜的厚度达到目标值；步骤4、在所述的铝铜薄膜层的顶部沉积氮化钛薄膜。本发明方法利用循环执行沉积步骤和冷却步骤，避免晶圆温度过高，且有效抑制铝铜薄膜层表面晶须的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 沉积 厚铝铜 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积厚铝铜薄膜层的方法，其特征在于，具体包含以下步骤：步骤1、在第一反应腔中，在晶圆表面沉积形成一层铝铜薄膜；步骤2、将已沉积有铝铜薄膜的晶圆传送至第二反应腔中进行冷却；该第二反应腔内的温度低于第一反应腔内的温度；步骤3、将冷却后的晶圆重新传送至第一反应腔中，并循环若干次执行步骤1的沉积过程和步骤2的冷却过程，依次在晶圆上沉积多层铝铜薄膜，并在每次完成一层铝铜薄膜的沉积步骤后，将晶圆传送至第二反应腔内进行冷却，直至所沉积的铝铜薄膜的厚度达到目标值，即在晶圆上形成所需厚度的铝铜薄膜层；步骤4、在所述的铝铜薄膜层的顶部沉积氮化钛薄膜。
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