[发明专利]一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法有效
| 申请号： | 201210081777.6 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103363909B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李协喆;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法，包含1、钴硅化合物形成后，反射光谱量测工具在线对形成钴硅化合物的区域照射探测光束；2、反射光谱计量工具接收由形成钴硅化合物的区域反射回来的探测光束；3、反射光谱计量工具根据反射回来的探测光束做出其反射光谱；4、反射光谱计量工具根据反射光谱做出其相应的光的本征曲线；5、根据光的反射光谱的本征曲线判断形成钴硅化合物的区域中各化合物的比例是否符合工艺要求，若是，则对晶圆进行后续工序，若否，则停止异常的工艺生产。本发明采用反射光谱快速在线检测钴硅化合物质量，避免造成大量的成本和时间的浪费，减少损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反射 光谱 拟合 快速 化合物 质量 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种基于反射光谱拟合的快速钴硅化合物质量检测方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、前期已经在晶圆上生成有半导体结构，再在该半导体结构上进一步形成钴硅化合物，晶圆上钴硅化合物形成完成后，反射光谱量测工具在线对形成钴硅化合物的区域照射探测光束进行厚度检测；步骤2、反射光谱计量工具接收由形成钴硅化合物的区域反射回来的探测光束；步骤3、反射光谱计量工具根据反射回来的探测光束做出其反射光谱；步骤4、反射光谱计量工具根据反射光谱做出其相应的光的本征曲线；光的本征曲线采用N‑K曲线；步骤5、根据光的反射光谱的本征曲线判断形成钴硅化合物的区域中各化合物的比例是否符合工艺要求，若是，则对晶圆继续进行后续工序，若否，则停止异常的工艺生产。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210081777.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法
- 下一篇：龙骨增智丸
