[发明专利]一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法有效

专利信息
申请号: 201210081780.8 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN103365075B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 胡林;陈蕾;鲍晔;周孟兴 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 张静洁,徐雯琼
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法,具体包含步骤1、在旋转机带动载片台及晶圆一同旋转时,向晶圆的表面持续涂覆稀释剂;步骤2、在旋转机带动载片台及晶圆一同旋转时,向晶圆的表面涂覆光刻胶;步骤3、光刻胶成膜;步骤4、洗边,利用光阻去除溶剂清洗晶圆边缘位置处的光刻胶;步骤5、旋干残留在晶圆边缘位置处的光阻去除溶剂。本发明方法通过利用旋转机的不同旋转速度带动晶圆旋转,并在各个不同转速阶段持续对晶圆表面涂覆稀释剂,达到预先对晶圆表面进行清洗的作用,从而减少光刻胶涂覆过程中彩纹的产生并降低返工率。
搜索关键词: 一种 消除 表面 光刻 工艺 方法
【主权项】:
一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法,其特征在于,具体包含以下步骤:步骤1、在旋转机带动载片台(1)及晶圆(2)一同旋转时,向晶圆(2)的表面持续涂覆稀释剂(3);步骤2、在旋转机带动载片台(1)及晶圆(2)一同旋转时,向晶圆(2)的表面涂覆光刻胶(5);步骤3、光刻胶成膜;步骤4、洗边,即利用光阻去除溶剂清洗晶圆边缘位置处的光刻胶;步骤5、旋干残留在晶圆边缘位置处的光阻去除溶剂;其中,所述步骤1具体包含以下子步骤:步骤1.1、移动光阻手臂,直至该移动光阻手臂上的稀释剂喷嘴(4)位于晶圆(2)中心位置的上方;步骤1.2、启动旋转机并带动载片台(1)及晶圆(2)一同旋转,调整旋转机的旋转速度依次处于500转/分钟、1000转/分钟、1500转/分钟和500转/分钟各2秒,或者调整旋转机的旋转速度依次处于600转/分钟、1200转/分钟、1800转/分钟和600转/分钟各1.5秒,或者调整旋转机的旋转速度依次处于300转/分钟、600转/分钟、900转/分钟和300转/分钟各3秒,并在各个不同转速阶段持续涂覆稀释剂(3),该稀释剂(3)由稀释剂喷嘴(4)中喷射出并涂覆在晶圆(2)的表面上;步骤1.3、稀释剂喷嘴(4)停止向晶圆表面涂覆稀释剂(3),并保持旋转机带动载片台(1)及晶圆(2)一起旋转,使得稀释剂(3)在离心力的作用下均匀散布至整个晶圆(2)的表面,对晶圆(2)的表面进行预湿处理。
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