[发明专利]一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法

摘要

本发明涉及一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，在去除所述第二多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的控制栅以后，在所述开口的两侧分别形成牺牲层，所述牺牲层覆盖了所述控制栅的侧壁位置；去除所述第二氧化物层暴露在开口底部的部分，保留所述牺牲层；去除所述第一多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的浮栅；再去除开口两侧的牺牲层。由于设置了牺牲层，在刻蚀下方第一多晶硅层形成浮栅的过程中，使控制栅的侧壁受到保护，保证了堆叠多晶硅结构的开口两侧、尤其是控制栅具有垂直的边缘轮廓。

主权项

一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，用于对以下结构的堆叠多晶硅进行刻蚀轮廓控制，所述堆叠多晶硅中包含：作为衬底（1）的硅片；在衬底（1）上从下至上依次生成的第一氧化物层（2）、第一多晶硅层（3）、第二氧化物层（4）、第二多晶硅层（5）和氮化硅层（6）；所述氮化硅层（6）上形成有一开口（8），将所述氮化硅层（6）在这一开口（8）的两侧分隔成两个部分；在所述开口（8）的两侧位置，分隔后所述氮化硅层（6）的侧壁，还分别形成有间隔层（7）；其特征在于，所述方法包含以下步骤：步骤a、去除所述第二多晶硅层（5）暴露在开口（8）底部的部分，从而在该开口（8）两侧形成两个相互分隔的控制栅（51、52）；步骤b、在所述开口（8）的两侧分别形成牺牲层（9），所述牺牲层（9）覆盖了所述控制栅（51、52）的侧壁位置；步骤c、去除所述第二氧化物层（4）暴露在开口（8）底部的部分，保留所述牺牲层（9）；步骤d、去除所述第一多晶硅层（3）暴露在开口（8）底部的部分，从而在该开口（8）两侧形成两个相互分隔的浮栅（31、32）；再去除开口（8）两侧的牺牲层（9）。