[发明专利]成膜方法、成膜装置无效
| 申请号： | 201210082649.3 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102703877A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 两角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晋吾;广田俊幸;清村贵利 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/316;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其特征在于，其是成膜包含氧化锆膜的电介质膜的方法，该成膜方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上形成氧化锆膜的成膜工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在所述氧化锆膜上形成氧化钛膜的成膜工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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