[发明专利]用于在倒装芯片封装中模制下层填料的装置和方法有效
申请号: | 201210082793.7 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103094130A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 陈孟泽;林修任;林俊成;吕文雄;郑明达;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/14;B29C45/26 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明披露了用于在倒装芯片封装中模制下层填料的装置和方法。本文中披露的方法包括在第一温度下将倒装芯片衬底装载到模压件的所选择的上模具和下模具之一中;定位该上模具和下模具中的至少之一中的模制的下层填料材料并保持低于该模制的下层填料材料的熔化温度的第一温度;形成密封的模腔并在该模腔中形成真空;将该模制的下层填料材料的温度升高至高于该熔点的第二温度以使得该模制的下层填料材料在形成下层填料层并形成过模制层的该倒装芯片衬底上方流动;以及将该倒装芯片衬底冷却至基本低于该模制的下层填料材料的熔化温度的第三温度。本发明还公开了一种装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 倒装 芯片 封装 中模制 下层 填料 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在第一温度下,将倒装芯片衬底装载到模压件的上模具和下模具中所选择的一个中,其中,在所述倒装芯片衬底上包含至少一个倒装芯片安装的集成电路;将所述上模具和所述下模具中的至少之一中的模制的下层填料材料覆盖在所述倒装芯片衬底上和至少一个集成电路上,同时将所述上模具和所述下模具保持在所述第一温度,所述第一温度低于所述模制的下层填料材料的熔化温度;将所述上模具和所述下模具封闭在一起以形成密封的模腔并在所述模腔中产生真空;将所述模制的下层填料材料的温度升高至高于所述模制的下层填料材料的熔点的第二温度,以使得所述模制的下层填料材料在所述倒装芯片衬底的上方并在至少一个倒装芯片安装的集成电路的下方流动,形成下层填料层并形成塑模层;将所述倒装芯片衬底和所述模腔冷却至基本低于所述模制的下层填料材料的熔化温度的第三温度;以及随后打开所述上模具和所述下模具,从而暴露所述倒装芯片衬底以用于卸载。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造