[发明专利]MOCVD设备的清洁方法有效
| 申请号： | 201210082876.6 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102615068A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;杜志游;孟双;朱班 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOCVD设备的清洁方法，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。利用所述清洁方法既能自动地清除MOCVD反应腔内壁的残余沉积物，所述清洁气体的等离子体不会对所述MOCVD反应腔内壁造成损伤，且所述清洁所耗费的时间短。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种MOCVD设备的清洁方法，其特征在于，包括：向所述MOCVD设备的反应腔内通入清洁气体；利用等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；将反应腔内壁的温度上升至50℃～250℃，在所述温度下利用清洁气体的等离子体清洁所述反应腔内壁。
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