[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210082888.9 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102709417B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 罗钟浩;沈世焕;金钟国;尹才仁;丁钟弼;黄净铉;俞东汉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件和照明系统。发光器件包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上包括阱层和势垒层的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层。所述阱层包括最靠近所述第一导电半导体层且具有第一能带隙的第一阱层、最靠近所述第二导电半导体层且具有第三能带隙的第三阱层和置于所述第一和第二阱层之间且具有第二能带隙的第二阱层。所述第三阱层的第三能带隙大于所述第二阱层的第二能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，其包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上包括阱层和势垒层的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述阱层包括：最靠近所述第一导电半导体层且具有第一能带隙的第一阱层；最靠近所述第二导电半导体层且具有第三能带隙的第三阱层；和置于所述第一阱层和第三阱层之间且具有第二能带隙的第二阱层；并且其中所述第一导电半导体层为n型半导体层，所述第二导电半导体层为p型半导体层，所述第三阱层设置为最靠近所述p型半导体层，其中所述第三阱层的所述第三能带隙大于所述第二阱层的所述第二能带隙，其中所述阱层包含铟(In)，并且所述第三阱层的In含量小于所述第二阱层的铟含量，其中所述第三阱层的厚度比所述第二阱层的厚度厚，其中所述第一阱层的第一能带隙大于所述第二阱层的第二能带隙，以及所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度厚。
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