[发明专利]碱法后制绒无死层发射极的制备工艺

摘要

本发明属于晶体硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及一种碱法后制绒无死层发射极的制备工艺。该发明采用先扩散后制绒的方法，制备具有优良性能的无死层发射极，此工艺可以有效地去除电池片表面的死层发射极区，提高太阳能电池的短波响应，减小暗电流，有效提高电池片的开路电压，并且易于工业化生产。

主权项

一种碱法后制绒无死层发射极的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）损伤层的去除：将硅片放入温度为50—95℃，浓度为100—200g/L的NaOH溶液中，浸泡10—50s；（2）低方阻扩散：将硅片放入扩散炉中，进行扩散制备低方阻为0—20ohm/sq的发射极;（3）去除含掺杂源的硅玻璃：采用浓度为5%—15%的HF酸溶液清洗硅片，制备的结深为1000—8000nm发射极;（4）表面碱制绒同时去除高掺杂死层发射极区：将硅片放入NaOH和IPA混合溶液中，完成表面制绒，同时去除硅片表面的死层发射极区，制备方阻为50—150ohm/sq的无死层发射极；（5）清洗：将已去除死层的硅片，放入浓度为5—15%的HCl和浓度为2%—10%的HF酸混合溶液中清洗0.5—5分钟。