[发明专利]酸法后制绒无死层发射极的制备工艺有效
申请号: | 201210083892.7 | 申请日: | 2012-03-27 |
公开(公告)号: | CN102623558A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 程亮;张黎明;刘鹏;姜言森;贾河顺;任现坤;姚增辉;张春艳 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
地址: | 250103 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于晶硅太阳能电池的制作技术领域,具体涉及一种酸法后制绒无死层发射极的制备工艺。该发明先采用先扩散后制绒的方法,制备具有优良性能的无死层发射极,此工艺可以有效地去除电池片表面的死层发射极区,提高太阳能电池的短波响应,减小暗电流,有效提高电池片的开路电压,并且易于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 酸法后制绒无死层 发射极 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种酸法后制绒无死层发射极的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)将硅片放入扩散炉,进行扩散制备低方阻为0—20ohm/sq的发射极;(2)表面酸制绒同时去除高掺杂死层发射极区:将硅片放入HNO3和HF溶液中,浸泡1—30min,完成表面制绒,同时得到方阻为50—150ohm/sq的无死层发射极;(3)清洗:将硅片放入浓度为1—5%KOH溶液中,清洗0.5—5分钟,然后再放入浓度为5—15%的HCl和浓度为2%—10%的HF酸混合溶液中清洗0.5—5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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