[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210084404.4 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102709263A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 山口俊英 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括：电极(电极焊垫)，形成在电极上且具有用于暴露电极的开口的绝缘膜(例如，保护树脂膜)。该半导体器件进一步包括形成在绝缘膜上且经由开口5a与电极连接的凸块下金属(UBM层)，和形成在凸块下金属上的焊球。在凸块下金属中，位于电极上的开口中的第一部分的厚度A和位于绝缘膜上的开口周围的凸块下金属中的第二部分的厚度B满足条件：A/B≥1.5，并且开口和焊球是一一对应的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：电极；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述电极上方且具有用于暴露所述电极的开口；凸块下金属，所述凸块下金属形成在所述绝缘膜上方且经由所述开口与所述电极连接；和焊球，所述焊球形成在所述凸块下金属上方，其中位于所述电极上方的所述开口中的第一部分的厚度A和位于所述绝缘膜上方的所述开口周围的第二部分的厚度B满足条件：A/B≥1.5，并且其中所述开口和所述焊球是一一对应的。
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