[发明专利]一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，包括：制造顶端高于外延层平面的栅极结构；通过在外延层注入的方式生成体区及初始源区；利用多晶硅高出的侧壁，生成侧墙；对器件表面进行刻蚀，生成源区；侧墙的高度使得在获取源区的刻蚀过程中，该侧墙覆盖的初始源区部分不被刻蚀；在器件表面生长金属层；控制金属层与源极、金属层与体区、金属层与多晶硅的接触表面生成硅化物；去除该金属层中没有反应的金属。本发明还提供一种沟槽型VDMOS器件。由于在制作源区时不需要进行光刻，也不需要制作接触孔，因此，减少了光刻层数。光刻分辨率、套准精度等因素对期间工艺流程的影响与限制减小，且元胞密度可以提高，降低了制造成本。

主权项

一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：在外延层上生成氧化层；在所述氧化层的表面进行光刻，生成沟槽光刻图形；利用所述沟槽光刻图形，刻蚀沟槽；在所述沟槽内生成栅极结构；去除所述氧化层，使得所述栅极结构的顶端高于所述外延层平面；通过在所述外延层普注的方式生成体区；通过在所述体区表层上普注的方式，生成初始源区；利用所述栅极结构高出的侧壁，生成侧墙；对生成侧墙后得到的器件的表面进行刻蚀，形成源区，对所述初始源区刻蚀的深度不小于所述初始源区的厚度；对所述侧墙刻蚀的深度小于所述侧墙的厚度；在形成源区后得到的器件的表面进行自对准硅化物的制作；制作连接所述栅极结构上覆盖的自对准硅化物的栅极金属连接线。