[发明专利]一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料及其制备方法，它由主成分（1-X）Mg2SiO4-XBaTiO3、改性掺杂物及烧结促进剂三部分组成；1）所述的主成分是（1-X）Mg2SiO4-XBaTiO3固溶体,其中X=0.001～0.25；2）所述的改性掺杂物包括SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、MnO2、CaO、La2O3、WO3等一种或一种以上混合物；3）所述的烧结促进剂包括Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、Nb2O5等低熔点的氧化物以及低熔点的玻璃粉中的一种或一种以上混合物。经过合理配方，优化合成和球磨工艺，制备出的微波介质材料可以在较低温1340℃～1380℃温度范围内烧结，其所制作的微波电容具有优异的介电性能：εr=3～8，Qf>60000GHZ，τf(-40℃～25℃/25℃～125℃)≤20PPM/℃。

主权项

一种低介电常数εr=3~8微波陶瓷介质材料，其特征在于：所述微波陶瓷介质材料由主成分（1‑X）Mg2SiO4‑XBaTiO3、改性掺杂物及烧结促进剂三部分组成；1）所述的主成分是（1‑X）Mg2SiO4‑XBaTiO3固溶体,其中X=0.001～0.25；2）所述的改性掺杂物包括SrCO3、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、MnO2、CaO、La2O3、WO3等一种或一种以上混合物；按重量百分比计组成为：0～1.5wt%的SrCO3、0～1 wt%的Zr02、0～0.5 wt%的Ta2O5、0～1.0 wt%的Nb2O5、0～0.3wt%的MnO2、0～0.3 wt%的La2O3、0～0.5 wt%的CaO 、0～1wt%的WO3；3）所述的烧结促进剂包括Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2、Al2O3、Nb2O5等低熔点的氧化物以及低熔点的玻璃粉中的一种或一种以上混合物；按重量百分比计组成为：0～1wt%的Bi2O3，0～0.5wt%的B2O3，0.25～1wt%的ZnO，0～1wt%的SiO2，0～0.8wt%的Al2O3。