[发明专利]准垂直功率MOSFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201210084622.8 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102956704A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈吉智;田昆玄;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。MOSFET进一步包括：栅极氧化物，和通过栅极氧化物与体区隔离开的栅电极。栅极氧化物的一部分和栅电极的一部分低于体区的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 mosfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET包括：半导体衬底，包括顶面；体区，具有第一导电类型，位于所述半导体衬底中；双扩散漏极DDD区，具有顶面，所述顶面低于所述体区的底面，其中，所述DDD区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；栅极氧化物；以及栅电极，通过所述栅极氧化物与所述体区间隔开，其中，所述栅极氧化物的一部分和所述栅电极的一部分位于所述体区的所述顶面的下方。
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