[发明专利]金纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法无效
| 申请号： | 201210084679.8 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102621126A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 付群;雷勇;郑燕;窦金霞;郭丽晶;胡芸芸;王沙沙;周懿;吴明红;李珍 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C25D11/12;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以硅单晶为衬底，在硅表面沉积金纳米颗粒阵列结构；所述的金纳米颗粒的粒径为16～85nm，颗粒中心距为99～111nm。本发明提供的金纳米点阵表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定。本发明方法，可以根据超薄氧化铝模板的结构参数调节金属纳米点阵的结构参数和形貌，实现不同金属纳米点阵基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 点阵 表面 增强 活性 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金纳米点阵表面增强拉曼活性基底，其特征在于该基底以硅单晶为衬底，在硅表面沉积金纳米颗粒阵列结构；所述的金纳米颗粒的粒径为16～85 nm，颗粒中心距为99～111 nm。
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