[发明专利]一种优化光子晶体面发射激光器方法无效
| 申请号： | 201210084836.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102611001A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;解意洋;朱彦旭;邓军;毛明明;魏思民;曹田;阚强;王春霞;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光子晶体缺陷孔径大一个光子晶体空气孔直径器件使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态。本发明的方法可应用于各种类型材料的氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 光子 晶体 发射 激光器 方法 | ||
【主权项】：
一种优化光子晶体面发射激光器方法，所述激光器结构依次为上金属电极、P型欧姆接触层、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、氧化限制层、有源区，下分布布拉格反射镜、衬底、N型金属电极、氧化孔、出光孔、光子晶体空气孔；光子晶体缺陷孔；其特征在于：氧化孔的直径比光子晶体缺陷孔的直径大一个光子晶体空气孔的直径b，即D＝d+b。
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