[发明专利]齐纳二极管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210085468.6 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103199118A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈富鑫 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种齐纳二极管结构及其制造方法，该齐纳二极管包括第一型半导体层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及隔离层。其中，第二型半导体层位于第一型半导体层内的一预定区域中。第一电极位于第一型半导体层的底部。第二电极位于第一型半导体层与第二型半导体层上，且对应于第二型半导体层。隔离层位于第一型半导体层及第二型半导体层之上，并围绕着第二电极。据此，此齐纳二极管结构可利用设置隔离层防止齐纳二极管封装于电路板上时，因延伸爬胶造成短路的现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种齐纳二极管结构，其特征在于包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层，位于该第一型半导体层内的一预定区域中；一第一电极，位于该第一型半导体层底部；一第二电极，位于该第一、第二型半导体层上；以及一隔离层，位于该第一、第二型半导体层上且围绕该第二电极。
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