[发明专利]一种背接触晶体硅太阳能电池及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池，包括经过表面织构化的N型单晶硅片，正面设有第一N型重掺杂层，外面依次设有第一SiO2钝化层和减反射膜层；背面设有相互间隔设置的第二N型重掺杂层和P型重掺杂层，外设有第二二氧化硅钝化层，第二N型重掺杂层处的第二SiO2钝化层外依次设有重掺杂AZO薄膜层和银浆；所述P型重掺杂层处的第二SiO2钝化层外依次设有重掺杂CuAlO2薄膜层覆和银铝浆。本发明还公开了一种背接触硅太阳能电池的制作工艺。本发明解决了现有技术中太阳能电池转换效率低下，而背接触电池由于普遍采用激光打孔制作成本高昂的问题，经过工艺改进做到接触面重掺杂，附着重掺低阻TCO材料形成隧道电流，并且选择采用低温浆料烧结法，在保证电池效率的前提下降低了制作成本。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池，包括N型单晶硅片（1），其特征在于：所述N型单晶硅片（1）的正面设有第一N型重掺杂层（2）；背面设有相互间隔设置的第二N型重掺杂层（6）和P型重掺杂层（5），所述第一N型重掺杂层（2）外依次设有第一SiO2钝化层（3）和减反射膜层（4），所述第二N型重掺杂层（6）和P型重掺杂层（5）外设有第二二氧化硅钝化层（7），所述第二N型重掺杂层（6）处的第二SiO2钝化层（7）外依次设有重掺杂AZO薄膜层（8）和银浆（10）；所述P型重掺杂层（5）处的第二SiO2钝化层（7）外依次设有重掺杂CuAlO2薄膜层覆（9）和银铝浆（11）。