[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210085879.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102616731A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MEMS器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底具有固定部件；在所述衬底上形成图形化的牺牲层；形成覆盖所述图形化的牺牲层和衬底的介质层；图形化所述介质层，使位于所述图形化的牺牲层上的介质层中以及位于衬底上的介质层中各至少包括一个开口，以暴露部分图形化的牺牲层和衬底；对暴露出的部分衬底进行腐蚀，至在所述衬底中形成水平方向宽度大于所述位于衬底上介质层中开口宽度的孔洞；去除所述图形化的牺牲层；在所述介质层上沉积覆盖材料，形成覆盖层，所述覆盖材料填满位于衬底上介质层中开口以及衬底中的孔洞。本发明MEMS器件的制造方法能够有效提高所制造MEMS器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有固定部件；在所述衬底上形成图形化的牺牲层；形成覆盖所述图形化的牺牲层和衬底的介质层；图形化所述介质层，使位于所述图形化的牺牲层上的介质层中以及位于衬底上的介质层中各至少包括一个开口，以暴露部分图形化的牺牲层和衬底；对暴露出的部分衬底进行腐蚀，至在所述衬底中形成水平方向宽度大于所述位于衬底上介质层中开口宽度的孔洞；去除所述图形化的牺牲层；在所述介质层上沉积覆盖材料，形成覆盖层，所述覆盖材料填满位于衬底上介质层中开口以及衬底中的孔洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210085879.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车载音响智能音量调节系统
- 下一篇：联系人列表获取方法及装置
