[发明专利]一种太阳能电池选择性发射极的制备方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，只需要一次重扩散，然后采用丝网印刷的方式印刷腐蚀性浆料层来形成低掺杂浅扩散区，电池非栅线区域的方块电阻即可达到60-160Ω/sq；操作流程简单，可利用现有的设备实现，工艺时间短，具有良好的工业实用性，转化效率高，腐蚀浆料的清洗只需配低浓度的KOH或NaOH溶液，所排废液较清洁，对环境无污染，适用于制备选择性发射极结构。

主权项

一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征为：制备工艺步骤为：（1）采用POCl3为液态的磷扩散源对P型硅片进行重掺杂，重掺杂硅片的方块电阻为20‑40Ω/sq；（2）把重掺杂后的硅片在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀性浆料层，以形成浅掺杂区；（3）将印有腐蚀性浆料层的硅片放入温度为280‑420℃的反应炉内反应25s‑15min；（4）在20‑80℃温度下超声清洗高温反应后的电池片30‑50min，超声清洗液为0.03‑5%的KOH或NaOH溶液，去除残余的化学溶液及残留物，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，得到选择性发射极太阳能电池。