[发明专利]一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺有效

专利信息
申请号: 201210086815.7 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN102631907A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 李和兴;张鹏;朱建;李贵生 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: B01J21/06 分类号: B01J21/06
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 吴瑾瑜
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,通过控制原料的比例、陈化时间和温度以及超临界萃取的条件,得到一种粒子均匀,尺寸在50-200nm之间,厚度10-20nm之间,且具有很好的结晶度和明显的单晶衍射的二氧化钛纳米片。本发明制备过程简便、反应条件可控性强、合成时间短且合成过程中不需要引入其它复合半导体或掺杂有可见光响应的元素,反应后无需再处理;发明所制备的产品在环境治理、光解水产氢、染料敏化太阳能电池、光电材料等方面有着潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 001 暴露 有氧 缺陷 可见光 氧化 纳米 合成 工艺
【主权项】:
一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)将摩尔比为1∶0.75~1∶4的钛酸丁酯和四氟化钛溶于溶剂A中得到溶液B;(2)将溶液B在35~45℃下陈化48h~50h;(3)将陈化后得到的产物以乙醇为萃取剂,在6~14MPa,230~290℃超临界状态下陈化0.5~8h,通过超临界萃取得到{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片。
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