[发明专利]一种反应烧结碳化硅及其制作工艺无效

专利信息
申请号: 201210086928.7 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN102603303A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 王茜 申请(专利权)人: 温州东迅密封科技有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 温州金瓯专利事务所(普通合伙) 33237 代理人: 黄肇平
地址: 325608 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种反应烧结碳化硅,包括下列组分且各组分含量(按质量百分比计)如下:3~7%的石墨,75~85%的碳化硅,余量为树脂。一种加工反应烧结碳化硅的制作工艺,将个组分的原料置于搅拌机内,搅拌2至8小时,然后将搅拌好的原料通过压机,以每平米1.4T的压力,压制成型,再经过烘箱,220℃,保温5小时,烘干后,使用烧结炉进行烧结,以每分钟升温5℃的速度升温到1300℃,再以每分钟升温4℃的速度升温到1650℃,保温8小时,自然冷却。本发明的反应烧结碳化硅,现在密度能达到3.10g/cm3左右,硬度能达到92HRA左右。相对背景技术中的产品具有显著地进步,本发明的反应烧结碳化硅产品密度高,强度好,由于密度、硬度、抗压强度都提高了,所以其耐磨性能也更好。
搜索关键词: 一种 反应 烧结 碳化硅 及其 制作 工艺
【主权项】:
一种反应烧结碳化硅,其特征在于:包括下列组分且各组分含量(按质量百分比计)如下:3~7%的石墨,75~85%的碳化硅,余量为树脂。
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