[发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法有效
| 申请号： | 201210087168.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367074A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。
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