[发明专利]一种半导体晶圆厚度检测系统及其检测方法无效
| 申请号： | 201210087873.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102620666A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈坚;吴周令 | 申请（专利权）人： | 吴周令 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆厚度检测系统及其检测方法，通过测量从半导体晶圆表面反射的太赫兹信号与从样品台表面直接反射的太赫兹信号之间的时间延迟来检测半导体晶圆的厚度，其检测对半导体晶圆表面材料特性均匀度无要求，且测量精度高，测量操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 厚度 检测 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆厚度检测系统，其特征在于：它是由飞秒激光器、设置于飞秒激光器发射口后端的分束器、设置于分束器后端的太赫兹波激发光路部分和太赫兹波探测光路部分、依次设置于太赫兹波激发光路部分和太赫兹波探测光路部分后端的太赫兹波/光波合束器、太赫兹波探测器、偏振变化测量装置组成；所述的太赫兹波激发光路部分包括顺次设置的第一激光聚焦透镜、太赫兹波发射器、第一太赫兹波收集器、太赫兹波反射镜、太赫兹波分束器、太赫兹波透镜、样品台、第二太赫兹波收集器组成；所述的太赫兹波探测光路部分包括顺次设置的光学延迟装置、第一激光反射镜、第二激光聚焦透镜、第二激光反射镜。
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