[发明专利]一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法无效
| 申请号： | 201210088182.3 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102583219A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张昕;欧文;明安杰;谭振新;赵敏;罗九斌;顾强 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法，所述晶圆级MEMS器件的真空封装结构，包括第一晶圆，所述第一晶圆的正面上设有ASIC电路，所述第一晶圆背面的下方设有第二晶圆；第一晶圆的背面设有凹槽，所述凹槽的槽口对应第二晶圆；所述凹槽内设有吸气剂激活结构，所述吸气剂激活结构覆盖凹槽并覆盖在第一晶圆的背面；凹槽的槽底设有吸气剂；第二晶圆上设有MEMS结构，所述MEMS结构位于吸气剂的正下方；所述第一晶圆与第二晶圆采用真空键合连接成一体，并在第一晶圆与第二晶圆间形成真空腔体，MEMS结构位于真空腔体内，且MEMS结构与ASIC电路电连接。本发明结构紧凑，提高了集成度，降低了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 mems 器件 真空 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构，其特征是：包括第一晶圆（1），所述第一晶圆（1）的正面上设有ASIC电路（2），所述第一晶圆（1）背面的下方设有第二晶圆（10）；第一晶圆（1）的背面设有凹槽（17），所述凹槽（17）的槽口对应第二晶圆（10）；所述凹槽（17）内设有吸气剂激活结构（13），所述吸气剂激活结构（13）覆盖凹槽（17）并覆盖在第一晶圆（1）的背面；凹槽（17）的槽底设有吸气剂（7）；第二晶圆（10）上设有MEMS结构（9），所述MEMS结构（9）位于吸气剂（7）的正下方；所述第一晶圆（1）与第二晶圆（10）采用真空键合连接成一体，并在第一晶圆（1）与第二晶圆（10）间形成真空腔体（20），MEMS结构（9）位于真空腔体（20）内，且MEMS结构（9）与ASIC电路（2）电连接。
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