[发明专利]晶体管以及形成方法有效
| 申请号： | 201210088200.8 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367430B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 晶体管以及形成方法，其中，一种晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的沟道层；位于所述沟道层表面的栅极结构；位于紧邻所述栅极结构两侧的沟道层内的应力衬垫层，且所述应力衬垫层与半导体衬底相接触的表面具有种子层。所述晶体管以及形成方法能够提高晶体管的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于紧邻所述栅极结构两侧的半导体衬底内的应力衬垫层，所述应力衬垫层为外层和内层重叠结构；所述应力衬垫层与半导体衬底相接触的表面均具有种子层；所述种子层的材料为锗，所述应力衬垫层的外层为锗锡，内层为锡；或者，所述种子层的材料为硅锗，所述应力衬垫层的外层为锗，内层为锗锡。
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