[发明专利]压阻式压力传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210088482.1 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103364118A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杜利东;赵湛;方震;肖丽;陈继超;刘启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压阻式压力传感器及其制造方法。该压阻式压力传感器，由上而下包括：压力传感SOI硅片，其下表面包括第一键合种子金属层；真空键合封接片，其上表面包括第二键合种子金属层，该第二键合种子金属层与压力传感SOI硅片下表面的第一键合种子金属层通过含锡合金焊料共晶真空键合在一起。本发明中通过银锡共晶真空键合技术，降低了压阻式压力传感器真空键合工艺难度，减小了压阻式压力传感器真空键合成本。 | ||
| 搜索关键词： | 压阻式 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压阻式压力传感器，由上而下包括：压力传感SOI硅片，其下表面包括第一键合种子金属层；真空键合封接片，其上表面包括第二键合种子金属层，该第二键合种子金属层与压力传感SOI硅片下表面的第一键合种子金属层通过含锡合金焊料共晶真空键合在一起。
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