[发明专利]超薄基板的封装方法有效
| 申请号： | 201210088506.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187326A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 古永延;施莹哲 | 申请（专利权）人： | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超薄基板的封装方法，提供一暂时性载板，形成至少一层的金属层及至少一层的介电层，用以制作所述超薄基板，所述超薄基板具有至少一个的封装单元，用以各别封装至少一个的芯片。在所述超薄基板表面形成至少一个的焊垫层，将所述超薄基板与所述暂时性载板分离，对所述超薄基板进行测试，用以汰选所述至少一个的封装单元中具有缺陷的封装单元，以不具有缺陷的所述封装单元各别以覆晶接合方式与所述芯片接合。是以，能提高整体封装制程的良率，且减少无谓的制作材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄基板的封装方法，包括：提供一暂时性载板；形成至少一层的金属层及至少一层的介电层，用以制作所述超薄基板，所述超薄基板具有至少一个的封装单元，用以封装至少一个的芯片； 其特征在于，包括如下步骤：在所述超薄基板表面形成至少一个的焊垫层；将所述超薄基板与所述暂时性载板分离；对所述超薄基板进行测试，用以汰选所述至少一个的鞥装单元中具有缺陷的封装单元；以不具有缺陷的封装单元，各别以覆晶接合方式与所述芯片接合；以及对所述超薄基板上已覆晶接合的所述芯片进行全体模封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巨擘科技股份有限公司，未经巨擘科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210088506.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其制造方法
- 下一篇：封装载板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
