[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201210088604.7 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367253A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在同一工艺步骤中形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部，所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部，所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型；在形成第一外延层和第二外延层后，形成覆盖所述第二外延层、但暴露出第一外延层的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述第一外延层和部分第一鳍部，形成开口；在所述开口内形成第三外延层，所述第三外延层具有第二应力类型，所述第二应力类型与所述第一应力类型相反。形成CMOS鳍式场效应管时工艺步骤少、工艺简单，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域、与所述第一区域相隔的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的隔离区；形成贯穿所述第一区域的基底的第一鳍部，以及贯穿所述第二区域的基底的第二鳍部，所述第一鳍部的表面高于所述基底表面，所述第二鳍部的表面高于所述基底表面；形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构；形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部，所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部，所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型；在形成第一外延层和第二外延层后，形成覆盖所述第二外延层、但暴露出第一外延层的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述第一外延层和部分第一鳍部，形成开口；在所述开口内形成第三外延层，所述第三外延层具有第二应力类型，所述第二应力类型与所述第一应力类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
