[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210088630.X | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367251A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈振兴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件至少包含具有不同应力类型的两个电阻器，所述电阻器通过上方有无应力层及应力层类型的差异来实现应力类型的不同，所述制作方法包括：利用另外的标记层对所述电阻器作不同标记；根据所述标记层，针对每一类型的电阻器的应力层分别制作掩膜板；利用所述掩膜板进行所述电阻器上方的应力层的制作。本发明通过设置对不同电阻器进行标记的标记层，简化了用于制作应力层的掩膜板的制作，从而使得大规模在电阻器上设置不同种类的应力层具有可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件至少包含具有不同应力类型的两个电阻器，所述电阻器通过上方有无应力层及应力层类型的差异来实现应力类型的不同，所述制作方法包括：利用另外的标记层对所述电阻器作不同标记；根据所述标记层，针对每一类型的电阻器的应力层分别制作掩膜板；利用所述掩膜板进行所述电阻器上方的应力层的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
