[发明专利]一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法有效
申请号: | 201210088760.3 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN103360107A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王占杰;王海玲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供了一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法,所述材料的组成为Au:2.21~4.32at%,La:19.11~19.56at%,Ni:19.11~19.56at%,其余为O,该材料的室温电阻率为350-500μΩ·cm,具有(110)晶体取向;该材料的制备方法是按照La∶Ni∶Au的摩尔比为1∶1∶0.113-0.226,称取硝酸镧、醋酸镍和氯金酸,以乙二醇甲醚和醋酸为溶剂,充分搅拌后得到黄绿色透明溶液,然后将所得溶液置于衬底材料上旋涂成膜,在120℃干燥10分钟后,在电炉中600-700℃退火10-30分钟;重复上述过程数次,得到所需厚度的金与镍酸镧复合的导电薄膜材料。该复合导电薄膜作为电极材料在铁电存储器、薄膜电容器和微机电系统等领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 镍酸镧 复合 导电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金‑镍酸镧复合导电薄膜材料,其特征在于:所述薄膜材料的组成成分构成和各成分的原子百分含量满足下述要求:Au:2.21~4.32at%,La:19.11~19.56at%,Ni:19.11~19.56at%,其余为O。
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