[发明专利]一种纳米磁性四氧化三铁修饰的免疫传感器的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210088850.2 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN102608189A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 孙霞;李青青;王相友;刘君峰;杜淑媛 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255086 山东省淄博市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种纳米磁性四氧化三铁修饰的免疫传感器的制备方法,其特征在于:敏感界面的组成为纳米金(GNPs)1%、纳米复合膜(功能化多壁碳-壳聚糖溶液-纳米四氧化三铁FCNTs-CS-Fe3O4)、农药抗体5μg/mL、BSA2.5%。依次将上述材料固定在免疫传感器表面后,因为纳米金晶体、功能化多壁碳、纳米四氧化三铁溶液能增大电子的转移,进而增大免疫传感器的相应,提高传感器的灵敏度;功能化多壁碳和壳聚糖有良好的成膜性并具有丰富的基团,可以增大与传感器表面和生物的结合度进而提高传感器的灵敏度和稳定性;BSA的封闭作用可以增大传感器的特异性和稳定性,从而可以制备高稳定性、高灵敏度、选择性好、长寿命的免疫传感器。
搜索关键词: 一种 纳米 磁性 氧化 修饰 免疫 传感器 制备 方法
【主权项】:
一种纳米磁性四氧化三铁修饰的免疫传感器的制备方法,其特征在于:免疫传感器的敏感界面组成为纳米金(GNPs)、由功能化多壁碳、普鲁士蓝、壳聚糖制作的三维纳米复合膜(功能化多壁碳‑壳聚糖溶液‑纳米四氧化三铁FCNTs‑CS‑Fe3O4)、和BSA。
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