[发明专利]发光二极管及光学元件有效
| 申请号： | 201210089071.4 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367584B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/36 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，包括一基底，所述基底包括一外延生长面；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，该第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面；一第一电极，该第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形。本发明还涉及一种具有所述第一三维纳米结构的光学元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光学 元件 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一基底，所述基底包括一外延生长面；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，该第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的外延生长面，所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面；一第一电极，该第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，所述第二半导体层远离活性层的表面具有多个第一三维纳米结构，该第一三维纳米结构为间隔设置的条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为半圆形，所述半圆形的半径为160纳米，且相邻的两个第一三维纳米结构之间的距离为140纳米，所述多个第一三维纳米结构按照同心圆环排布或同心回形排布。
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