[发明专利]发光二极管及光学元件的制备方法有效
| 申请号： | 201210089097.9 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367562A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体预制层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；设置一第二电极与所述第二半导体预制层电连接；在所述第二半导体预制层的表面设置一图案化掩膜层；对所述第二半导体预制层进行刻蚀，形成多个第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；以及，去除所述掩膜层。本发明还涉及一种具有上述第一三维纳米结构的光学元件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 光学 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体预制层；设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；设置一第二电极与所述第二半导体预制层电连接；在所述第二半导体预制层的表面设置一图案化掩膜层，所述图案化掩膜层包括多个并排设置的挡墙，相邻的挡墙之间形成一沟槽，所述第二半导体预制层通过该沟槽暴露出来；对所述第二半导体预制层进行刻蚀，每一挡墙对应的第二半导体预制层的表面形成一第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；以及去除所述掩膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210089097.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双背压凝汽器抽真空系统
- 下一篇：一种烧结矿炉式冷却无挡板粗除尘器
