[发明专利]一种电压控制的等效电阻电路和一种滤波电路

摘要

本发明提出了一种电压控制的等效电阻电路，实现了使用MOS管等效的有源电阻，使得此等效电阻可以广泛使用在CMOS集成电路中。同时由于其制造工艺的参数相比无源电阻制造工艺中的参数更容易控制，变化更小，因此相对于无源电阻该等效电阻的阻值精度更高。此外，还可通过控制电压的变化控制该等效电阻的阻值，满足不同的需求。控制电压可以由采用了片内感应电流电路的开关电源电路提供。

主权项

一种电压控制的等效电阻电路，其特征在于，所述电路包括：第一PMOS管以及与之宽长比相同的第二、第三和第四PMOS管；第五PMOS管以及与之宽长比相同的第六PMOS管；第七PMOS管以及与之宽长比相同的第八PMOS管；第一NMOS管以及与之宽长比相同的第二NMOS管；第三NMOS管以及与之宽长比相同的第四NMOS管；第五NMOS管以及与之宽长比相同的第六NMOS管；第七NMOS管；第一、第三、第五、第六、第七和第八PMOS管的源极均耦合到电源电压；第五PMOS管的漏极和栅极、第六PMOS管的栅极耦合到第一NMOS管的漏极；第八PMOS管的漏极和栅极、第七PMOS管的栅极耦合到第二NMOS管的漏极；第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的源极耦合到第二NMOS管的栅极；第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的源极耦合到第一NMOS管的栅极；第一和第三PMOS管的栅极耦合到第七NMOS管的源极；第七NMOS管的栅极和漏极耦合到控制电压；第二、第四PMOS管的漏极、第三、第四、第五以及第六NMOS管的源极耦合到地电压；第四NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极和漏极耦合到第七PMOS管的漏极；第五NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极和漏极耦合到第六PMOS管的漏极；第一NMOS管的源极、第二PMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极耦合到第一节点；第二NMOS管的源极、第四PMOS管的栅极和第五NMOS管的漏极耦合到第二节点；第一节点和第二节点为所述等效电阻的两端。