[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺有效
| 申请号： | 201210089500.8 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367138B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王坚;何增华;贾照伟;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，包括如下步骤将硅片放入预加热腔内加热到一设定温度；从所述预加热腔内取出硅片并将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀；从所述工艺腔内取出硅片；将硅片放入后加热腔内加热到一设定温度并维持一定时间；从后加热腔内取出硅片并将硅片放入冷却腔内冷却到一设定温度；从所述冷却腔内取出硅片。本发明二氟化氙气相刻蚀阻挡层工艺中，先在预加热腔内将硅片加热，然后再将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀，刻蚀工艺结束后，将硅片放入后加热腔内加热，最后再将硅片传送至冷却腔内进行冷却，整个工艺过程缩短了待处理硅片的等待时间，从而大大提高了多片硅片阻挡层去除工艺的效率，同时去除了硅片表面残留的氟化物，并能有效防止硅片表面的氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 氙气 刻蚀 阻挡 工艺 | ||
【主权项】：
一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，包括如下步骤：将硅片放入预加热腔内加热到一设定温度；从所述预加热腔内取出硅片并将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀；从所述工艺腔内取出硅片；将硅片放入后加热腔内加热到一设定温度并维持一定时间；从所述后加热腔内取出硅片并将硅片放入冷却腔内冷却到一设定温度；从所述冷却腔内取出硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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