[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法

摘要

本发明公开一种刻蚀装置，可以根据不同工艺要求调整硅片与喷气头之间的距离，提高硅片刻蚀均匀性和刻蚀速率。本发明刻蚀装置包括刻蚀腔室、喷气头、托盘装置、多个导柱和驱动装置。所述刻蚀腔室具有进气口和多个排气口。所述喷气头设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方。所述托盘装置具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔。所述多个导柱分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片。所述驱动装置驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离。本发明还公开一种使用该刻蚀装置刻蚀硅片的方法。

主权项

一种刻蚀装置，用于刻蚀硅片，包括：刻蚀腔室，具有进气口和多个排气口；喷气头，设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方；托盘装置，具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔；多个导柱，分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片；驱动装置，驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离；牺牲环，所述牺牲环安放在所述托盘本体上并环绕着所述硅片，所述牺牲环的刻蚀速率与所述硅片上的阻挡层的刻蚀速率相同或相近。