[发明专利]双载子反相器组件结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210089929.7 申请日: 2012-03-28
公开(公告)号: CN103165596A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 宋兆峰;谢彦敏 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/822
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 祁建国;尚群
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种双载子反相器组件结构及其制造方法,所述双载子反相器组件结构包括闸极配置于基板上。二个第一电极配置于基板上、位于闸极的两侧且位于第一平面。二个第二电极配置于基板上、位于闸极的两侧且位于第二平面,其中第一电极其中一个与第二电极其中一个电性连接。双极性半导体层配置于第一平面与第二平面之间。第一载子阻挡层配置于双极性半导体层与第一电极之间。第二载子阻挡层配置于双极性半导体层与第二电极之间。介电层配置于闸极及第二电极之间。本发明还包括制造上述双载子反相器组件结构的制造方法。
搜索关键词: 双载子反相器 组件 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种双载子反相器组件结构,其特征在于,包括:一闸极,配置于一基板上;二第一电极,配置于所述基板上、位于所述闸极的两侧且位于一第一平面;二第二电极,配置于所述基板上、位于所述闸极的两侧且位于一第二平面,其中所述第一电极其中一个与所述第二电极其中一个电性连接;一双极性半导体层,配置于所述第一平面与所述第二平面之间;一第一载子阻挡层,配置于所述双极性半导体层与所述第一电极之间;一第二载子阻挡层,配置于所述双极性半导体层与所述第二电极之间;以及一介电层,配置于所述闸极及所述第二电极之间。
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