[发明专利]LD阵列多侧面泵浦激光器无效
| 申请号： | 201210090471.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623879A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘世文 | 申请（专利权）人： | 刘世文 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/131 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于材料微细加工的改进型激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列(下称LDA)、YAG晶体和控制器，其中，所述直流源用于驱动所述LDA，所述控制器用于控制所述直流源的输出电流，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述LDA的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。所述控制器采用大功率的MOSFET管，所述LDA作为负载串联在MOSFET漏极上，通过控制栅源电压来控制输出电流。采用本发明所述激光器可以满足半导体线路微加工、失效分析、LCD液晶屏维修等多方面的应用，并且效率高、性能可靠、寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | ld 阵列 侧面 激光器 | ||
【主权项】：
一种用于材料微细加工的激光器，包括直流源、半导体激光二极管阵列和Nd:YAG晶体，其中，直流源用于驱动所述半导体激光二极管阵列，其特征在于：还包括控制器，用于控制所述直流源的输出电流值，工作时，通过所述控制器控制所述直流源的输出电流值以控制所述半导体激光二极管阵列的发光的强度，最终控制激光器的输出能量大小。
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