[发明专利]一种用于水体中Hg(II)高灵敏检测的荧光传感器制备方法无效
| 申请号： | 201210090815.4 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103364376A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 傅绪成;谢成根;吴菊 | 申请（专利权）人： | 傅绪成 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 237012 安徽省六*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于水体中Hg(II)高灵敏检测的荧光传感器制备方法，包括用氧化硅纳米粒子作模板，在其表面制备具有发散状开孔结构多孔硅包覆层，然后利用溶胶-凝胶反应将荧光探针分子高密度组装到表面多孔硅的孔道上。本发明的制备过程包括如下两个步骤：首先在氧化硅纳米粒子表面合成具有表面多孔结构的多孔硅层；将合成的罗丹明6G衍生物Hg(II)荧光探针分子硅烷化，然后氮气保护下，在甲苯溶液中利用硅烷化反应将荧光探针分子高密度组装到制备的表面多孔硅的孔道上，将所得固体材料离心、洗涤和干燥后，便得到具有高比表面积、高灵敏的Hg(II)荧光传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 水体 hg ii 灵敏 检测 荧光 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于水体中Hg(II)高灵敏检测的荧光传感器制备方法，其特征在于制备过程包括表面多孔硅的制备和利用溶胶-凝胶反应将荧光探针分子高密度组装到表面多孔硅的孔道上两个步骤。1.根据权利要求所述的一种用于水体中Hg(II)高灵敏检测的荧光传感器制备方法，其特征是：所说多孔硅基质为具有表面多孔结构的氧化硅材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于傅绪成，未经傅绪成许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210090815.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：错流过滤机膜柱检测装置
- 下一篇：一种膜组件浇注支架
