[发明专利]多层反射镜和光刻设备有效

专利信息
申请号: 201210091159.X 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN102736441B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: A·M·雅库尼恩 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G21K1/06;G03F1/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层,所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组:U(铀)或其化合物或其氮化物,和B4C层;Th(钍)或其化合物或其氮化物,和B4C层;La(镧)或其化合物或其氮化物,和B9C层;La(镧)或其化合物或其氮化物,和B4C层;U(铀)或其化合物或其氮化物,和B9C层;Th(钍)或其化合物或其氮化物,和B9C层;La(镧)或其化合物或其氮化物,和B(硼)层;U(铀)或其化合物或其氮化物,和B(硼)层;C(碳)或其化合物或其氮化物,和B(硼)层;Th(钍)或其化合物或其氮化物,和B(硼)层。
搜索关键词: 多层 反射 光刻 设备
【主权项】:
一种多层反射镜,构造并布置成反射波长在6.4nm至7.2nm范围内的辐射,所述多层反射镜具有多个交替层,所述交替层包括第一层和第二层,所述第一和第二层选自下列项构成的组:U(铀)或其化合物,和B4C层;Th(钍)或其化合物,和B4C层;La(镧)或其化合物,和B9C层;La(镧)或其化合物,和B4C层;U(铀)或其化合物,和B9C层;Th(钍)或其化合物,和B9C层;La(镧)或其化合物,和B(硼)层;U(铀)或其化合物,和B(硼)层;C(碳)或其化合物,和B(硼)层;以及Th(钍)或其化合物,和B(硼)层;和其中多个第一层中的每个第一层与第二层通过设置在多个第一层中的每个第一层和第二层之间的隔层而被分开,隔层包括基本上固态形式的Cs(铯)。
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