[发明专利]Si基GeMSM波导共振腔增强型光电探测器有效
申请号: | 201210091862.0 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN103367517A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 姜炎 | 申请(专利权)人: | 青岛博光电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266590 山东省青岛市经济技术开发*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是Si基GeMSM波导共振腔增强型光电探测器,包括光电二极管、高频放大电路、交流耦合电容、宽带匹配电路、低频取样电路、低频放大电路、低频滤波电路、交流直流切换电路;其中,光电二极管接收光信号转换为电信号,光电二极管阳极输出的高频电信号经高频放大器放大后经过电容交流耦合输出;低频电信号通过低频取样电路在光电二极管阴极与偏置电源之间取出,经过低频放大和滤波后输出;低频电信号通过交流直流切换电路、宽带匹配电路和高频电信号组合实现交流直流可切换的宽带高速光探测器。本发明可应用于光通信、光传感等领域。 | ||
搜索关键词: | si gemsm 波导 共振 增强 光电 探测器 | ||
【主权项】:
Si基GeMSM波导共振腔增强型光电探测器,包括光电二极管、高频放大电路、交流耦合电容、宽带匹配电路、低频取样电路、低频放大电路、低频滤波电路、交流直流切换电路;其特征在于光电二极管接收光信号转换为电信号,电信号的低频部分和高频部分分开放大,低频电信号通过交流直流切换电路、宽带匹配电路和高频电信号组合实现交流直流可切换的宽带高速探测器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛博光电子有限公司,未经青岛博光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210091862.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带驱动头的工具头
- 下一篇:一种逆变器中电抗器与接触器的固定结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的